Die Schnelligkeit der Ausschaltflanke darf nicht zu hoch sein. Sonst gibt es durch den Einschnüreffekt (Pincheffekt) , der auch beim Blitz auftritt, lokale Überhitzungen. Deshalb sitzt vor dem gate immer ein Widerstand von mehr als 10 Ohm, damit nicht zu schnell ausgeschaltet wird. beim Curtis ist man besonders vorsichtig, ich glaube, meist 140 Ohm.
Unsere Beinahe-Bundespräsidenin "Daxi" hat darüber promoviert. Da hätten wir beinahe zwei Thüringerinnen in der Regierung gehabt, sofern man die Ückermärkerinnen zu den Thüringerinnen zählen darf...Ja, richtig gehört, die Daxi ist auch Physikerin, wie die Angela. Sarko hätte die Carla glatt wegen der Daxi stehen lassen, er schätzt schließlich Physikerinnen. http://de.wikipedia.org/wiki/Bild
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Kommen wir zurück zum für uns Wesentlichen: Sowohl Leistungsmosfets, wie auch IGBTs benötigen eine ein wenig komplexe Ansteuerschaltung, wenn sie optimal funktionieren sollen. Module haben diese oft eingebaut, wie das von Mitsubishi in meinem Sagem-boitier.
Niederspannungsmosfets haben heute weniger Verluste als IGBTs, und sind superbillig. Die Domäne der IGBTs sind heute sehr hohe Spannungen, jenseits von 1000 Volt.
